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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料				操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	电压 - 额定直流	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	配置	通道数量	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	功率 - 最大	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	无卤素	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大双电源电压	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)	场效应管特性	反馈上限-最大值 (Crss)	高度	长度	宽度	辐射硬化	RoHS状态
APTM100AM90FG	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks		Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6		6	SILICON	2	155 ns		-40°C~150°C TJ	Bulk	2006		e1	yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99	锡银铜	雪崩额定		1.25kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明		7		R-XUFM-X7	不合格				增强型MOSFET	1.25kW	ISOLATED	18 ns	1250W	2 N-Channel (Half Bridge)	SWITCHING	105m Ω @ 39A, 10V	5V @ 10mA		20700pF @ 25V	744nC @ 10V	12ns	1000V 1kV		40 ns	78A		30V			0.105Ohm			1000V	3000 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard						符合RoHS标准	无铅
FDW2501NZ	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	YES		SILICON	5.5A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		TIN					鸥翼	260			未说明		8		R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				600mW	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	18m Ω @ 5.5A, 4.5V	1.5V @ 250μA		1286pF @ 10V	17nC @ 4.5V		20V				MO-153AA			5.5A	0.018Ohm			20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
IRF7304TR	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	4.3A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1997	HEXFET®	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn)	逻辑电平兼容				鸥翼	未说明			未说明				R-PDSO-G8	不合格	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				2W	2 P-Channel (Dual)		90m Ω @ 2.2A, 4.5V	700mV @ 250μA		610pF @ 15V	22nC @ 4.5V		20V							3.6A	0.09Ohm			20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						Non-RoHS Compliant
IRF7104PBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	2.3A	2		-55°C~150°C TJ	Tube	1997	HEXFET®	e3		Discontinued	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn)	逻辑电平兼容				鸥翼	260			30	IRF7104PBF			R-PDSO-G8	不合格	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				2W	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	250m Ω @ 1A, 10V	3V @ 250μA		290pF @ 15V	25nC @ 10V		20V				MS-012AA			2.3A	0.25Ohm		10A	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2W	逻辑电平门						ROHS3 Compliant
AO9926C	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8	SILICON	2			-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2010		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn)			2W		鸥翼	未说明			未说明		8							增强型MOSFET	2W				2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	23m Ω @ 7.6A, 10V	1.1V @ 250μA		630pF @ 15V	12.5nC @ 10V		20V			7.6A		12V								METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门	105 pF					ROHS3 Compliant	无铅
BSO612CVGHUMA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8	SILICON	3A 2A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1999	SIPMOS®	e4		Obsolete	3 (168 Hours)	8	EAR99	Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)	雪崩额定		2W	DUAL	鸥翼	未说明		3A	未说明	BSO612		AEC-Q101						增强型MOSFET	2W				N and P-Channel		120m Ω @ 3A, 10V	4V @ 20μA	不含卤素	340pF @ 25V	15.5nC @ 10V		60V	N-CHANNEL AND P-CHANNEL		2A		20V	-60V	3A					47 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard						符合RoHS标准	无铅
BSO200N03	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		Tin	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8	SILICON	2	12 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2011	OptiMOS™	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99		雪崩额定	30V	1.4W		鸥翼	260		6.6A	40		8			不合格	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET	1.56W		2.9 ns		2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	20m Ω @ 7.9A, 10V	2V @ 13μA		1010pF @ 15V	8nC @ 5V	2.6ns			2.6 ns	7A	MS-012	20V			0.02Ohm	30V				METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门	56 pF					符合RoHS标准	无铅
NVMFD5C462NWFT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	48 Weeks										Tape & Reel (TR)			e3	yes	活跃			EAR99	Tin (Sn)						未说明	not_compliant		未说明
APTM60H23FT1G	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks		Chassis Mount, Screw	底座安装	SP1		1	SILICON	4	115 ns		-40°C~150°C TJ	Bulk	2007				活跃	1 (Unlimited)	12	EAR99		雪崩额定		208W	UPPER	UNSPECIFIED						12				COMPLEX			增强型MOSFET	208W	ISOLATED	37 ns		4 N-Channel (H-Bridge)	SWITCHING	276m Ω @ 17A, 10V	5V @ 1mA		5316pF @ 25V	165nC @ 10V	43ns	600V		34 ns	20A		30V			0.23Ohm			600V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard					无	符合RoHS标准
APTM50H15FT1G	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks		Chassis Mount, Screw	底座安装	SP1		1	SILICON	4	80 ns		-40°C~150°C TJ	Bulk	2007				活跃	1 (Unlimited)	12	EAR99		雪崩额定		208W	UPPER	UNSPECIFIED						12				COMPLEX			增强型MOSFET	208W	ISOLATED	29 ns		4 N-Channel (H-Bridge)	SWITCHING	180m Ω @ 21A, 10V	5V @ 1mA		5448pF @ 25V	170nC @ 10V	35ns	500V		26 ns	25A		30V						500V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard					无	符合RoHS标准
APTC60AM35SCTG	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks	IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4		4	SILICON	2	283 ns		-40°C~150°C TJ	Bulk			e1	yes	活跃	1 (Unlimited)	10	EAR99	锡银铜			416W	UPPER	UNSPECIFIED						10		R-XUFM-X10					增强型MOSFET	416W	ISOLATED	21 ns		2 N-Channel (Half Bridge)	SWITCHING	35m Ω @ 36A, 10V	3.9V @ 2mA		14000pF @ 25V	518nC @ 10V	30ns	600V		84 ns	72A		30V			0.035Ohm			600V	1800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard					无	符合RoHS标准
NTHD5905T1	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SMD, Flat Lead	YES		SILICON	3A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	8		锡铅					C 弯管	未说明	unknown		未说明		8		R-XDSO-C8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				1.1W	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	90m Ω @ 3A, 4.5V	450mV @ 250μA			9nC @ 4.5V		8V							3A	0.09Ohm			8V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						Non-RoHS Compliant
NTHD4502NT1	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SMD, Flat Lead	YES		SILICON	2.2A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e0	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		锡铅					C 弯管	240			30		8		R-XDSO-C8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				640mW	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	85m Ω @ 2.9A, 10V	3V @ 250μA		140pF @ 15V	7nC @ 10V		30V							2.2A	0.085Ohm			30V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门	25 pF					Non-RoHS Compliant
APTM10AM02FG	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks		Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6		6	SILICON	2	500 ns		-40°C~150°C TJ	Bulk	2012		e1	yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99	锡银铜	雪崩额定		1.25kW	UPPER	UNSPECIFIED						7		R-XUFM-X7					增强型MOSFET	1.25kW	ISOLATED	160 ns	1250W	2 N-Channel (Half Bridge)	SWITCHING	2.5m Ω @ 200A, 10V	4V @ 10mA		40000pF @ 25V	1360nC @ 10V	240ns	100V		160 ns	495A		30V					1900A	100V	3000 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard					无	符合RoHS标准
NTLJD3181PZTAG	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	6-WDFN Exposed Pad	YES		SILICON	2.2A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	6		哑光锡					无铅	未说明			未说明		6		S-PDSO-N6	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				710mW	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	100m Ω @ 2A, 4.5V	1V @ 250μA		450pF @ 10V	7.8nC @ 4.5V		20V							3.2A	0.1Ohm			20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
NTLJD2104PTAG	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	6-WDFN Exposed Pad	YES		SILICON	2.4A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	6		哑光锡					无铅	未说明	unknown		未说明		6		S-XDSO-N6	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET		DRAIN		700mW	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	90m Ω @ 3A, 4.5V	800mV @ 250μA		467pF @ 6V	8nC @ 4.5V		12V							2.4A	0.12Ohm			12V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
NTMD3N08LR2	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	2.3A	1			Tape & Reel (TR)			e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	8		锡铅	ULTRA-LOW RESISTANCE				鸥翼	240			30		8		R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				3.1W	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	215m Ω @ 2.5A, 10V	3V @ 250μA		480pF @ 25V	15nC @ 10V		80V							2.3A	0.215Ohm		25A	80V	25 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						Non-RoHS Compliant
APTM20AM04FG	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks		Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6		6	SILICON	2	88 ns		-40°C~150°C TJ	Bulk	2006		e1	yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99	锡银铜	雪崩额定		1.25kW	UPPER	UNSPECIFIED						7		R-XUFM-X7			1	Single	增强型MOSFET	1.25kW	ISOLATED	32 ns	1250W	2 N-Channel (Half Bridge)	SWITCHING	5m Ω @ 186A, 10V	5V @ 10mA		28900pF @ 25V	560nC @ 10V	64ns	200V		116 ns	372A		30V			0.005Ohm				3000 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard		21.9mm	108mm	62mm	无	符合RoHS标准	无铅
FDJ1027P	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	SC75-6 FLMP	YES		SILICON	2.8A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	6		镍钯金					FLAT	未说明	unknown		未说明		6		R-PDSO-F6	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET		DRAIN		900mW	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	160m Ω @ 2.8A, 4.5V	1.5V @ 250μA		290pF @ 10V	4nC @ 4.5V		20V							2.8A	0.16Ohm		12A	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
FDW2516NZ	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	YES		SILICON	5.8A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		TIN					鸥翼	260	unknown		未说明		8		R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				1.1W	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	30m Ω @ 5.8A, 4.5V	1.5V @ 250μA		745pF @ 10V	12nC @ 5V		20V							5.8A	0.03Ohm		20A	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
FDJ1028N	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	SC75-6 FLMP	YES		SILICON	3.2A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	6		镍钯金					FLAT	未说明	unknown		未说明		6		R-PDSO-F6	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET		DRAIN		1.5W	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	90m Ω @ 3.2A, 4.5V	1.5V @ 250μA		200pF @ 10V	3nC @ 4.5V		20V							3.2A	0.09Ohm		12A	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
FDS8962C	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	7A 5A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		哑光锡				DUAL	鸥翼	260			30		8		R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				900mW	N and P-Channel	SWITCHING	30m Ω @ 7A, 10V	3V @ 250μA		575pF @ 15V	26nC @ 10V		30V	N-CHANNEL AND P-CHANNEL						7A	0.03Ohm		20A	30V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
NTQD6968NR2G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	YES		SILICON	6.2A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e3	no	Obsolete	3 (168 Hours)	8		哑光锡	逻辑电平兼容				鸥翼	260	unknown		40		8		R-PDSO-G8	COMMERCIAL	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				1.39W	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	22m Ω @ 7A, 4.5V	1.2V @ 250μA		630pF @ 16V	17nC @ 4.5V		20V							6.2A	0.03Ohm		18A	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		逻辑电平门						ROHS3 Compliant
FDS4895C	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	5.5A 4.4A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		哑光锡				DUAL	鸥翼	260			未说明		8		R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET				900mW	N and P-Channel	SWITCHING	39m Ω @ 5.5A, 10V	5V @ 250μA		410pF @ 20V	10nC @ 10V		40V	N-CHANNEL AND P-CHANNEL						5.5A	0.039Ohm		20A	40V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		Standard						ROHS3 Compliant
FDC6322C	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6				220mA 460mA			-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)				yes	Obsolete	1 (Unlimited)										unknown				6											700mW	N and P-Channel		4 Ω @ 400mA, 4.5V	1.5V @ 250μA		9.5pF @ 10V	0.7nC @ 4.5V		25V															逻辑电平门						ROHS3 Compliant